半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
5期
869-873
,共5页
李涛%余志平%王燕%黄雷%向采兰
李濤%餘誌平%王燕%黃雷%嚮採蘭
리도%여지평%왕연%황뢰%향채란
Si/Si1-xGex共振隧穿二极管%量子水动力学模型%离散方法%轻重空穴%峰谷电流比
Si/Si1-xGex共振隧穿二極管%量子水動力學模型%離散方法%輕重空穴%峰穀電流比
Si/Si1-xGex공진수천이겁관%양자수동역학모형%리산방법%경중공혈%봉곡전류비
采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合.
採用量子水動力學(QHD)模型模擬瞭35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二極管(RTD)在室溫下的I-V特性.模擬過程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二階中心差分法相結閤的離散方法對方程組進行離散,保證瞭結果的收斂性.還模擬瞭不同的器件結構,對結果的分析錶明器件的勢壘厚度和載流子有效質量都會對RTD的負阻效應產生影響.在室溫下(T=293K),噹x=0.23時,模擬結果的峰穀電流比為1.14,與實驗結果相吻閤.
채용양자수동역학(QHD)모형모의료35nm Si/Si1-xGex공혈형공진수천이겁관(RTD)재실온하적I-V특성.모의과정중,인입second upwind,Schafetter-Gummel(SG)화이계중심차분법상결합적리산방법대방정조진행리산,보증료결과적수렴성.환모의료불동적기건결구,대결과적분석표명기건적세루후도화재류자유효질량도회대RTD적부조효응산생영향.재실온하(T=293K),당x=0.23시,모의결과적봉곡전류비위1.14,여실험결과상문합.
