真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
3期
266-270
,共5页
徐均琪%杭凌侠%弥谦%严一心%董网妮
徐均琪%杭凌俠%瀰謙%嚴一心%董網妮
서균기%항릉협%미겸%엄일심%동망니
离子源%离子束辅助沉积(IBAD)%离子束流密度%离子能量%电子中和器
離子源%離子束輔助沉積(IBAD)%離子束流密度%離子能量%電子中和器
리자원%리자속보조침적(IBAD)%리자속류밀도%리자능량%전자중화기
介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的改进的宽束冷阴极离子源,详细叙述了该源的工作原理和放电过程,并对离子源的工作特性进行了研究.结果表明,这种离子源可以在4.5×10-3 Pa的高真空度下长期稳定工作,在4.5×10-3 Pa~9.7×10-3 Pa的真空度范围内,离子源的放电电压为400 V~1200 V.采用法拉第筒测试的离子束流密度约为0.5 mA/cm2~2.5 mA/cm2.五栅网测试的离子能量表明,当放电电压650 V时,离子能量为600 eV~1600 eV,其值大小随引出电压不同呈线性变化,离子平均初始动能约为480 eV.该离子源具有较大的离子束发散角,在±20°的范围内,可以得到相当均匀的离子密度,离子束发散角可以达到±40°以上.在本文述及的离子源中,我们设计了电子中和器,消除了离子源在真空室内的打火现象,中和器的电子发射能力取决于灯丝电流和负偏压大小,但负偏压的影响更为显著.了解和掌握离子源的这些工作特性和参数,可以方便对镀膜过程的微观环境(离子密度、离子能量等)进行控制.
介紹瞭一種用于離子束輔助沉積光學薄膜的改進的寬束冷陰極離子源,詳細敘述瞭該源的工作原理和放電過程,併對離子源的工作特性進行瞭研究.結果錶明,這種離子源可以在4.5×10-3 Pa的高真空度下長期穩定工作,在4.5×10-3 Pa~9.7×10-3 Pa的真空度範圍內,離子源的放電電壓為400 V~1200 V.採用法拉第筒測試的離子束流密度約為0.5 mA/cm2~2.5 mA/cm2.五柵網測試的離子能量錶明,噹放電電壓650 V時,離子能量為600 eV~1600 eV,其值大小隨引齣電壓不同呈線性變化,離子平均初始動能約為480 eV.該離子源具有較大的離子束髮散角,在±20°的範圍內,可以得到相噹均勻的離子密度,離子束髮散角可以達到±40°以上.在本文述及的離子源中,我們設計瞭電子中和器,消除瞭離子源在真空室內的打火現象,中和器的電子髮射能力取決于燈絲電流和負偏壓大小,但負偏壓的影響更為顯著.瞭解和掌握離子源的這些工作特性和參數,可以方便對鍍膜過程的微觀環境(離子密度、離子能量等)進行控製.
개소료일충용우리자속보조침적광학박막적개진적관속랭음겁리자원,상세서술료해원적공작원리화방전과정,병대리자원적공작특성진행료연구.결과표명,저충리자원가이재4.5×10-3 Pa적고진공도하장기은정공작,재4.5×10-3 Pa~9.7×10-3 Pa적진공도범위내,리자원적방전전압위400 V~1200 V.채용법랍제통측시적리자속류밀도약위0.5 mA/cm2~2.5 mA/cm2.오책망측시적리자능량표명,당방전전압650 V시,리자능량위600 eV~1600 eV,기치대소수인출전압불동정선성변화,리자평균초시동능약위480 eV.해리자원구유교대적리자속발산각,재±20°적범위내,가이득도상당균균적리자밀도,리자속발산각가이체도±40°이상.재본문술급적리자원중,아문설계료전자중화기,소제료리자원재진공실내적타화현상,중화기적전자발사능력취결우등사전류화부편압대소,단부편압적영향경위현저.료해화장악리자원적저사공작특성화삼수,가이방편대도막과정적미관배경(리자밀도、리자능량등)진행공제.