真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2008年
6期
34-36
,共3页
微通道板%质量污染%倒像微光管
微通道闆%質量汙染%倒像微光管
미통도판%질량오염%도상미광관
为解决二代微光倒像管研究中制管合格率低问题,对微通道板处理过程工艺质量和放气成分进行分析.结果表明,微通道板质量不合格、表面污染、性能一致性差是造成器件阴极灵敏度低、视场暗斑、分辨率低、背景大的主要因素.对其采用清洗,无油真空炉处理工艺,消除了工艺过程对微通道板的污染,研制成功了总体性能全面合格的二代倒像微光管.
為解決二代微光倒像管研究中製管閤格率低問題,對微通道闆處理過程工藝質量和放氣成分進行分析.結果錶明,微通道闆質量不閤格、錶麵汙染、性能一緻性差是造成器件陰極靈敏度低、視場暗斑、分辨率低、揹景大的主要因素.對其採用清洗,無油真空爐處理工藝,消除瞭工藝過程對微通道闆的汙染,研製成功瞭總體性能全麵閤格的二代倒像微光管.
위해결이대미광도상관연구중제관합격솔저문제,대미통도판처리과정공예질량화방기성분진행분석.결과표명,미통도판질량불합격、표면오염、성능일치성차시조성기건음겁령민도저、시장암반、분변솔저、배경대적주요인소.대기채용청세,무유진공로처리공예,소제료공예과정대미통도판적오염,연제성공료총체성능전면합격적이대도상미광관.
