光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2010年
8期
1409-1412
,共4页
异质结%晶体管激光器%外延结构%掺杂扩散%量子阱退化
異質結%晶體管激光器%外延結構%摻雜擴散%量子阱退化
이질결%정체관격광기%외연결구%참잡확산%양자정퇴화
基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5 μm 波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1 nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.
基于器件模擬倣真,設計瞭一種PNP型1.5 μm 波長多量子阱InGaAsP-InP異質結晶體管激光器材料外延結構,併採用金屬有機化學氣相沉積外延生長.其中基區採用N型Si摻雜.因為擴散繫數小,比較P型Zn攙雜具有較高的穩定性,因而較NPN結構外延材料容易穫得高質量的光學有源區.由于N型歐姆接觸比P型容易穫得,基區攙雜濃度可以相對較低,有利于減小基區光損耗和載流子複閤,從而穫得較低的閾值電流和較高的輸齣光功率.所穫得的外延材料呈現較高光-熒光譜峰值和65.1 nm較低半峰寬.測試結果顯示瞭較高的外延片光學質量.
기우기건모의방진,설계료일충PNP형1.5 μm 파장다양자정InGaAsP-InP이질결정체관격광기재료외연결구,병채용금속유궤화학기상침적외연생장.기중기구채용N형Si참잡.인위확산계수소,비교P형Zn참잡구유교고적은정성,인이교NPN결구외연재료용역획득고질량적광학유원구.유우N형구모접촉비P형용역획득,기구참잡농도가이상대교저,유리우감소기구광손모화재류자복합,종이획득교저적역치전류화교고적수출광공솔.소획득적외연재료정현교고광-형광보봉치화65.1 nm교저반봉관.측시결과현시료교고적외연편광학질량.
