半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
3期
192-196
,共5页
凡金星%施正荣%张光春%杨健%陈如龙%李果华
凡金星%施正榮%張光春%楊健%陳如龍%李果華
범금성%시정영%장광춘%양건%진여룡%리과화
双层SiNx%等离子体增强化学气相沉积%减反射膜%太阳电池%少数载流子寿命
雙層SiNx%等離子體增彊化學氣相沉積%減反射膜%太暘電池%少數載流子壽命
쌍층SiNx%등리자체증강화학기상침적%감반사막%태양전지%소수재류자수명
提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性.采用等离子体增强化学气相沉积( PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜.随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜的厚度、折射率及反射率,并用Semilab WT - 2000测量少数载流子寿命,通过测量量子效率,对单、双层膜电池进行了比较.实验结果表明:相比单层减反射钝化膜,采用双层SiNx膜,少数载流子寿命可以得到更好的改善,开路电压可提高约2 mV,短路电流可提高约40 mA,电池效率能提高0.15％.
提齣瞭一種簡單有效的製備雙層SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的減反射鈍化特性.採用等離子體增彊化學氣相沉積( PECVD)的方法,通過控製SiH4和NH3氣體流量比,在p型多晶硅襯底上生長單層及雙層SiNx膜.隨後使用薄膜測試分析儀測量瞭薄膜的厚度、摺射率及反射率,併用Semilab WT - 2000測量少數載流子壽命,通過測量量子效率,對單、雙層膜電池進行瞭比較.實驗結果錶明:相比單層減反射鈍化膜,採用雙層SiNx膜,少數載流子壽命可以得到更好的改善,開路電壓可提高約2 mV,短路電流可提高約40 mA,電池效率能提高0.15％.
제출료일충간단유효적제비쌍층SiNx박막적방법,기박막구유량호적감반사둔화특성.채용등리자체증강화학기상침적( PECVD)적방법,통과공제SiH4화NH3기체류량비,재p형다정규츤저상생장단층급쌍층SiNx막.수후사용박막측시분석의측량료박막적후도、절사솔급반사솔,병용Semilab WT - 2000측량소수재류자수명,통과측량양자효솔,대단、쌍층막전지진행료비교.실험결과표명:상비단층감반사둔화막,채용쌍층SiNx막,소수재류자수명가이득도경호적개선,개로전압가제고약2 mV,단로전류가제고약40 mA,전지효솔능제고0.15％.
