核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2012年
7期
769-771
,共3页
王立新%单尼娜%刘刚%韩郑生%夏洋
王立新%單尼娜%劉剛%韓鄭生%夏洋
왕립신%단니나%류강%한정생%하양
双扩散场效应晶体管%阈值漂移%条形栅
雙擴散場效應晶體管%閾值漂移%條形柵
쌍확산장효응정체관%역치표이%조형책
对2种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究,条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势,中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管,抗总剂量能力可达1 400 krad(Si)以上.
對2種不同結構的功率VDMOS晶體管進行瞭總劑量輻照的試驗研究,條形柵結構比元胞型結構具有抗總劑量輻照的結構優勢,中國科學院微電子研究所利用條形柵結構製作齣高抗總劑量輻照能力的功率VDMOS晶體管,抗總劑量能力可達1 400 krad(Si)以上.
대2충불동결구적공솔VDMOS정체관진행료총제량복조적시험연구,조형책결구비원포형결구구유항총제량복조적결구우세,중국과학원미전자연구소이용조형책결구제작출고항총제량복조능력적공솔VDMOS정체관,항총제량능력가체1 400 krad(Si)이상.
