郑州工业大学学报(自然科学版)
鄭州工業大學學報(自然科學版)
정주공업대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF ZHENGZHOU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY（SCIENCE AND TECHNOLOGY）
2001年
2期
28-29
,共2页
氧化锆薄膜%慢正电子束%成分
氧化鋯薄膜%慢正電子束%成分
양화고박막%만정전자속%성분
用慢正电子束(SPEB)对自制ZrO2薄膜进行了成分分析.结果发现,ZrO2薄膜表层存在一个厚约20 nm的高正电子吸收层,该表层的特殊结构与Y在表层的偏聚有关.高于500 ℃的退火处理可以大大减小该层的厚度.
用慢正電子束(SPEB)對自製ZrO2薄膜進行瞭成分分析.結果髮現,ZrO2薄膜錶層存在一箇厚約20 nm的高正電子吸收層,該錶層的特殊結構與Y在錶層的偏聚有關.高于500 ℃的退火處理可以大大減小該層的厚度.
용만정전자속(SPEB)대자제ZrO2박막진행료성분분석.결과발현,ZrO2박막표층존재일개후약20 nm적고정전자흡수층,해표층적특수결구여Y재표층적편취유관.고우500 ℃적퇴화처리가이대대감소해층적후도.
