真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2006年
1期
37-40
,共4页
李志%谭大刚%李履平%于桂英
李誌%譚大剛%李履平%于桂英
리지%담대강%리리평%우계영
碳纳米管%场致发射电流%镍基碳纳米管膜
碳納米管%場緻髮射電流%鎳基碳納米管膜
탄납미관%장치발사전류%얼기탄납미관막
在不同表面宏观电场下对定向生长于镍片上的碳纳米管膜的场致发射电流密度进行了测定,被测样品是在作者提供的纯镍基片上由美国Xintek公司加工,测试条件为:发射窗口直径3 mm,平行板电极系统极间的距离0.4～1.0 mm,可微调,测试电压0～1000 V.在相同实验条件下,多次测量电场强度与发射电流密度的关系及其稳定性.在距离不变及中等工作电压的情况下,测定了样品连续工作及反复间断工作时场致发射电流的稳定性.将测量结果分别与美国公司公布的资料及作者两年前对西安交通大学所提供的硅基片碳纳米管所做的测定结果进行了对比,依据对本次样品的测量数据建立了相应的j-E关系曲线的数学拟合函数表达式,为用本次样品设计制造碳纳米管冷阴极X线管做了准备.
在不同錶麵宏觀電場下對定嚮生長于鎳片上的碳納米管膜的場緻髮射電流密度進行瞭測定,被測樣品是在作者提供的純鎳基片上由美國Xintek公司加工,測試條件為:髮射窗口直徑3 mm,平行闆電極繫統極間的距離0.4～1.0 mm,可微調,測試電壓0～1000 V.在相同實驗條件下,多次測量電場彊度與髮射電流密度的關繫及其穩定性.在距離不變及中等工作電壓的情況下,測定瞭樣品連續工作及反複間斷工作時場緻髮射電流的穩定性.將測量結果分彆與美國公司公佈的資料及作者兩年前對西安交通大學所提供的硅基片碳納米管所做的測定結果進行瞭對比,依據對本次樣品的測量數據建立瞭相應的j-E關繫麯線的數學擬閤函數錶達式,為用本次樣品設計製造碳納米管冷陰極X線管做瞭準備.
재불동표면굉관전장하대정향생장우얼편상적탄납미관막적장치발사전류밀도진행료측정,피측양품시재작자제공적순얼기편상유미국Xintek공사가공,측시조건위:발사창구직경3 mm,평행판전겁계통겁간적거리0.4～1.0 mm,가미조,측시전압0～1000 V.재상동실험조건하,다차측량전장강도여발사전류밀도적관계급기은정성.재거리불변급중등공작전압적정황하,측정료양품련속공작급반복간단공작시장치발사전류적은정성.장측량결과분별여미국공사공포적자료급작자량년전대서안교통대학소제공적규기편탄납미관소주적측정결과진행료대비,의거대본차양품적측량수거건립료상응적j-E관계곡선적수학의합함수표체식,위용본차양품설계제조탄납미관랭음겁X선관주료준비.
