无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2009年
1期
65-68
,共4页
杜雪峰%祝迎春%许钫钫%杨涛%曾毅%沈悦
杜雪峰%祝迎春%許鈁鈁%楊濤%曾毅%瀋悅
두설봉%축영춘%허방방%양도%증의%침열
分区沉积%线型和带型α-Si3N4%准一维结构
分區沉積%線型和帶型α-Si3N4%準一維結構
분구침적%선형화대형α-Si3N4%준일유결구
采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-Si3N4准一维结构.其中线型α-Si3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃),而带型α-Si3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明,制备的线型和带型α-Si3N4准一维结构均为单晶;线型α-Si3N4直径约为100～300nm,长为几十微米;而带型α-Si3N4厚约30nm,宽度在300nm～2μm之间,长度为几微米到几十微米.从晶体生长热力学及动力学方面讨论了线型和带型α-Si3N4准一维结构的生长过程和分区沉积的原因.结果表明,较高的温度和过饱和度有利于形成带型准一维结构.
採用高溫氮化閤成的熱化學方法製備瞭單晶的線型和帶型α-Si3N4準一維結構.其中線型α-Si3N4準一維結構沉積在溫度較低的反應區域(1200℃),而帶型α-Si3N4準一維結構則沉積在高溫原料源附近位置(1450℃).經XRD、SEM、TEM、HRTEM分析錶明,製備的線型和帶型α-Si3N4準一維結構均為單晶;線型α-Si3N4直徑約為100～300nm,長為幾十微米;而帶型α-Si3N4厚約30nm,寬度在300nm～2μm之間,長度為幾微米到幾十微米.從晶體生長熱力學及動力學方麵討論瞭線型和帶型α-Si3N4準一維結構的生長過程和分區沉積的原因.結果錶明,較高的溫度和過飽和度有利于形成帶型準一維結構.
채용고온담화합성적열화학방법제비료단정적선형화대형α-Si3N4준일유결구.기중선형α-Si3N4준일유결구침적재온도교저적반응구역(1200℃),이대형α-Si3N4준일유결구칙침적재고온원료원부근위치(1450℃).경XRD、SEM、TEM、HRTEM분석표명,제비적선형화대형α-Si3N4준일유결구균위단정;선형α-Si3N4직경약위100～300nm,장위궤십미미;이대형α-Si3N4후약30nm,관도재300nm～2μm지간,장도위궤미미도궤십미미.종정체생장열역학급동역학방면토론료선형화대형α-Si3N4준일유결구적생장과정화분구침적적원인.결과표명,교고적온도화과포화도유리우형성대형준일유결구.
