重庆师范大学学报(自然科学版)
重慶師範大學學報(自然科學版)
중경사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF CHONGQING NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2011年
1期
55-59
,共5页
倪演海%戴特力%梁一平%杜亮%伍喻
倪縯海%戴特力%樑一平%杜亮%伍喻
예연해%대특력%량일평%두량%오유
C42+分子%电声耦合%Td对称性%哈密顿量%杨-泰勒畸变%能级分裂
C42+分子%電聲耦閤%Td對稱性%哈密頓量%楊-泰勒畸變%能級分裂
C42+분자%전성우합%Td대칭성%합밀돈량%양-태륵기변%능급분렬
垂直外腔面发射激光器芯片的生长工艺要求精确到nm量级,制作成本高,有必要用软件对设计好的VECSEL芯片进行仿真,实现优化.通过PICS3D软件对已经设计好的一个底发射的VECSEL芯片结构进行仿真,获得了量子阱有源区的带隙结构、材料增益曲线及子腔谐振谱线等特性.结果表明,InGaAs/GaAsP/AlGaAs材料体系能够有效地吸收808 nm的泵浦光,产生足够多的光生载流子(电子-空穴对),这些载流子能轻易地渡越应变补偿层,被量子阱俘获,产生复合发光.其发光带隙1.25 eV,相应波长992 nm,接近设计波长980 nm.InGaAs的材料增益峰值波长正好在980 nm处,增益系数高达4000 cm-1.InGaAs/GaAsP/AIGaAs量子阱的谐振峰值波长为983 nm,与980nm的分布布拉格反射镜(DBR)的反射中心波长非常接近,其峰值功率高达23 dB,理论上能够获得较大的输出功率.
垂直外腔麵髮射激光器芯片的生長工藝要求精確到nm量級,製作成本高,有必要用軟件對設計好的VECSEL芯片進行倣真,實現優化.通過PICS3D軟件對已經設計好的一箇底髮射的VECSEL芯片結構進行倣真,穫得瞭量子阱有源區的帶隙結構、材料增益麯線及子腔諧振譜線等特性.結果錶明,InGaAs/GaAsP/AlGaAs材料體繫能夠有效地吸收808 nm的泵浦光,產生足夠多的光生載流子(電子-空穴對),這些載流子能輕易地渡越應變補償層,被量子阱俘穫,產生複閤髮光.其髮光帶隙1.25 eV,相應波長992 nm,接近設計波長980 nm.InGaAs的材料增益峰值波長正好在980 nm處,增益繫數高達4000 cm-1.InGaAs/GaAsP/AIGaAs量子阱的諧振峰值波長為983 nm,與980nm的分佈佈拉格反射鏡(DBR)的反射中心波長非常接近,其峰值功率高達23 dB,理論上能夠穫得較大的輸齣功率.
수직외강면발사격광기심편적생장공예요구정학도nm량급,제작성본고,유필요용연건대설계호적VECSEL심편진행방진,실현우화.통과PICS3D연건대이경설계호적일개저발사적VECSEL심편결구진행방진,획득료양자정유원구적대극결구、재료증익곡선급자강해진보선등특성.결과표명,InGaAs/GaAsP/AlGaAs재료체계능구유효지흡수808 nm적빙포광,산생족구다적광생재류자(전자-공혈대),저사재류자능경역지도월응변보상층,피양자정부획,산생복합발광.기발광대극1.25 eV,상응파장992 nm,접근설계파장980 nm.InGaAs적재료증익봉치파장정호재980 nm처,증익계수고체4000 cm-1.InGaAs/GaAsP/AIGaAs양자정적해진봉치파장위983 nm,여980nm적분포포랍격반사경(DBR)적반사중심파장비상접근,기봉치공솔고체23 dB,이론상능구획득교대적수출공솔.
