半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
9期
1001-1005
,共5页
孙元平%张泽洪%赵德刚%冯志宏%付羿%张书明%杨辉
孫元平%張澤洪%趙德剛%馮誌宏%付羿%張書明%楊輝
손원평%장택홍%조덕강%풍지굉%부예%장서명%양휘
立方相GaN%晶片键合%工艺设计
立方相GaN%晶片鍵閤%工藝設計
립방상GaN%정편건합%공예설계
利用光学薄膜原理,计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性.以Ni为粘附层,Ag为反射层的Ni/Ag/Au薄膜体系可以使立方GaN的出光效率从理论上提高2.65倍左右.实验结果证实,利用键合方法实现的以Ni/Ag/Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的GaN/GaAs样品的光反射率在理论计算的459.2nm处提高了2.4倍.
利用光學薄膜原理,計算瞭採用晶片鍵閤技術來提高以GaAs為襯底的立方相GaN的齣光效率的理論可行性.以Ni為粘附層,Ag為反射層的Ni/Ag/Au薄膜體繫可以使立方GaN的齣光效率從理論上提高2.65倍左右.實驗結果證實,利用鍵閤方法實現的以Ni/Ag/Au作為反射膜的樣品的光反射率比未做鍵閤的GaN/GaAs樣品的光反射率在理論計算的459.2nm處提高瞭2.4倍.
이용광학박막원리,계산료채용정편건합기술래제고이GaAs위츤저적립방상GaN적출광효솔적이론가행성.이Ni위점부층,Ag위반사층적Ni/Ag/Au박막체계가이사립방GaN적출광효솔종이론상제고2.65배좌우.실험결과증실,이용건합방법실현적이Ni/Ag/Au작위반사막적양품적광반사솔비미주건합적GaN/GaAs양품적광반사솔재이론계산적459.2nm처제고료2.4배.
