光散射学报
光散射學報
광산사학보
CHINESE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING
2003年
4期
264-267
,共4页
江若琏%陈鹏%赵作明%沈波%张荣%郑有炓
江若璉%陳鵬%趙作明%瀋波%張榮%鄭有炓
강약련%진붕%조작명%침파%장영%정유료
GaN%微结构%缓冲层%X射线衍射谱%光荧光谱%拉曼散射谱
GaN%微結構%緩遲層%X射線衍射譜%光熒光譜%拉曼散射譜
GaN%미결구%완충층%X사선연사보%광형광보%랍만산사보
采用快速辐射加热/低压-金属有机化学气相淀积(RTP/LP-MOCVD)方法分别以AlN和阳极氧化铝为缓冲层材料在Si衬底上外延生长GaN薄膜,通过X射线衍射谱(XRD)、光荧光谱(PL)、拉曼散射谱(Raman Scattering)等手段对它们的微结构进行了表征和分析,结果指出AlN是优良的缓冲层材料.
採用快速輻射加熱/低壓-金屬有機化學氣相澱積(RTP/LP-MOCVD)方法分彆以AlN和暘極氧化鋁為緩遲層材料在Si襯底上外延生長GaN薄膜,通過X射線衍射譜(XRD)、光熒光譜(PL)、拉曼散射譜(Raman Scattering)等手段對它們的微結構進行瞭錶徵和分析,結果指齣AlN是優良的緩遲層材料.
채용쾌속복사가열/저압-금속유궤화학기상정적(RTP/LP-MOCVD)방법분별이AlN화양겁양화려위완충층재료재Si츤저상외연생장GaN박막,통과X사선연사보(XRD)、광형광보(PL)、랍만산사보(Raman Scattering)등수단대타문적미결구진행료표정화분석,결과지출AlN시우량적완충층재료.
