吉林大学学报(理学版)
吉林大學學報(理學版)
길림대학학보(이학판)
JOURNAL OF JILIN UNIVERSITY(SCIENCE EDITION)
2004年
2期
251-254
,共4页
孙文斗%顾广瑞%孙龙%李全军%李哲奎%盖同祥%赵永年
孫文鬥%顧廣瑞%孫龍%李全軍%李哲奎%蓋同祥%趙永年
손문두%고엄서%손룡%리전군%리철규%개동상%조영년
BN薄膜%场发射%基底温度%表面粗糙度
BN薄膜%場髮射%基底溫度%錶麵粗糙度
BN박막%장발사%기저온도%표면조조도
利用射频磁控溅射方法, 真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体, 在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜. 在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响. 基底温度为500 ℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜, 阈值电场为12 V/μm, 电场升到34 V/μm, 场发射电流为280 μA/cm2. 所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线, 表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.
利用射頻磁控濺射方法, 真空室中充入高純N2(99.99%)和高純Ar(99.99%)的混閤氣體, 在n型(100)Si基底上沉積瞭六角氮化硼(h-BN)薄膜. 在超高真空(<10-7 Pa)繫統中測量瞭BN薄膜的場髮射特性, 髮現沉積時基底溫度對BN薄膜的場髮射特性有很大影響. 基底溫度為500 ℃時沉積的BN薄膜樣品場髮射特性要好于其他薄膜, 閾值電場為12 V/μm, 電場升到34 V/μm, 場髮射電流為280 μA/cm2. 所有樣品的Fowler-Nordheim(F-N)麯線均近似為直線, 錶明電子是通過隧道效應穿透BN薄膜髮射到真空的.
이용사빈자공천사방법, 진공실중충입고순N2(99.99%)화고순Ar(99.99%)적혼합기체, 재n형(100)Si기저상침적료륙각담화붕(h-BN)박막. 재초고진공(<10-7 Pa)계통중측량료BN박막적장발사특성, 발현침적시기저온도대BN박막적장발사특성유흔대영향. 기저온도위500 ℃시침적적BN박막양품장발사특성요호우기타박막, 역치전장위12 V/μm, 전장승도34 V/μm, 장발사전류위280 μA/cm2. 소유양품적Fowler-Nordheim(F-N)곡선균근사위직선, 표명전자시통과수도효응천투BN박막발사도진공적.
