微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
3期
121-124
,共4页
赵子奇%杜江峰%罗谦%靳翀%杨谟华
趙子奇%杜江峰%囉謙%靳翀%楊謨華
조자기%두강봉%라겸%근충%양모화
GaN高电子迁移率晶体管%电流崩塌%脉冲测试%表面态
GaN高電子遷移率晶體管%電流崩塌%脈遲測試%錶麵態
GaN고전자천이솔정체관%전류붕탑%맥충측시%표면태
针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性.发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增 大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大.实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理.
針對GaN HEMT電流崩塌物理效應,測試瞭各種條件下器件I-V特性.髮現在柵脈遲條件下器件最大漏輸齣電流減小瞭23.8%,且隨著柵脈遲寬度減小或週期增大而下降,併且穫得瞭其輸齣電流與脈遲寬度W和週期T的定量關繫;在漏脈遲測試條件下,器件輸齣電流有所增 大,併隨著脈遲寬度減小而緩慢增大.實驗結果,可用器件柵漏之間錶麵態充放電的原理來解釋所觀察到的測試現象和電流崩塌物理.
침대GaN HEMT전류붕탑물리효응,측시료각충조건하기건I-V특성.발현재책맥충조건하기건최대루수출전류감소료23.8%,차수착책맥충관도감소혹주기증대이하강,병차획득료기수출전류여맥충관도W화주기T적정량관계;재루맥충측시조건하,기건수출전류유소증 대,병수착맥충관도감소이완만증대.실험결과,가용기건책루지간표면태충방전적원리래해석소관찰도적측시현상화전류붕탑물리.
