轻金属
輕金屬
경금속
LIGHT METALS
2008年
8期
55-58
,共4页
Al-Mg-Si合金%GP区%价电子结构
Al-Mg-Si閤金%GP區%價電子結構
Al-Mg-Si합금%GP구%개전자결구
运用固体经验电子理论,对Al-Mg-Si合金GP区(L10型)的价电子结构进行了计算.结果表明:GP区晶胞最强键和次强键上的共价电子数远比纯Al晶胞的最强键共价电子数多,其主键络骨架对合金键络起到增强作用,使得位错运动难以切割,从而提高了合金的硬度.以Mg原子为中心的共价键络在GP区生长时起到主导作用,生成较强的Mg-Mg键和Mg-Si键.由于细小共格的GP区大量均匀脱溶沉淀提升了基体的整体键络强度,同样对合金产生强化作用.
運用固體經驗電子理論,對Al-Mg-Si閤金GP區(L10型)的價電子結構進行瞭計算.結果錶明:GP區晶胞最彊鍵和次彊鍵上的共價電子數遠比純Al晶胞的最彊鍵共價電子數多,其主鍵絡骨架對閤金鍵絡起到增彊作用,使得位錯運動難以切割,從而提高瞭閤金的硬度.以Mg原子為中心的共價鍵絡在GP區生長時起到主導作用,生成較彊的Mg-Mg鍵和Mg-Si鍵.由于細小共格的GP區大量均勻脫溶沉澱提升瞭基體的整體鍵絡彊度,同樣對閤金產生彊化作用.
운용고체경험전자이론,대Al-Mg-Si합금GP구(L10형)적개전자결구진행료계산.결과표명:GP구정포최강건화차강건상적공개전자수원비순Al정포적최강건공개전자수다,기주건락골가대합금건락기도증강작용,사득위착운동난이절할,종이제고료합금적경도.이Mg원자위중심적공개건락재GP구생장시기도주도작용,생성교강적Mg-Mg건화Mg-Si건.유우세소공격적GP구대량균균탈용침정제승료기체적정체건락강도,동양대합금산생강화작용.
