微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
5期
282-289
,共8页
陈伟%方泽波%马锡英%谌家军%宋经纬
陳偉%方澤波%馬錫英%諶傢軍%宋經緯
진위%방택파%마석영%심가군%송경위
高k栅介质%La基氧化物%二氧化硅%金属氧化物半导体场效应晶体管%摩尔定律
高k柵介質%La基氧化物%二氧化硅%金屬氧化物半導體場效應晶體管%摩爾定律
고k책개질%La기양화물%이양화규%금속양화물반도체장효응정체관%마이정률
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点.综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料.La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程.
SiO2作為柵介質已無法滿足MOSFET器件高集成度的需求,高k柵介質材料成為噹前研究的熱點.綜述瞭高k柵介質材料應噹滿足的各項性能指標和研究意義,總結瞭La基高k柵介質材料的最新研究進展,以及在改正自身缺點時使用的一些實驗方法,指齣瞭有可能成為下一代MOSFET柵介質的幾種La基高k材料.La基高k材料的研究為替代SiO2的芯片製造工藝提供優異的候選材料及理論指導,這是一項噹務之急且浩大的工程.
SiO2작위책개질이무법만족MOSFET기건고집성도적수구,고k책개질재료성위당전연구적열점.종술료고k책개질재료응당만족적각항성능지표화연구의의,총결료La기고k책개질재료적최신연구진전,이급재개정자신결점시사용적일사실험방법,지출료유가능성위하일대MOSFET책개질적궤충La기고k재료.La기고k재료적연구위체대SiO2적심편제조공예제공우이적후선재료급이론지도,저시일항당무지급차호대적공정.
