半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
10期
1028-1031
,共4页
杨志伟%苗庆海%张德骏%张兴华%杨列勇
楊誌偉%苗慶海%張德駿%張興華%楊列勇
양지위%묘경해%장덕준%장흥화%양렬용
双极晶体管%结温%测量
雙極晶體管%結溫%測量
쌍겁정체관%결온%측량
考虑到结温分布不均匀的情况，对用ΔVbe法测量双极型晶体管的结温进行了研究.当结温分布均匀时，测得的结温与测试电流无关；当结温分布不均匀时，小测试电流测得的结温高，大测试电流测得的结温低，测得结温随测试电流的变化范围随结温分布不均匀度的增加而增大.这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性.
攷慮到結溫分佈不均勻的情況，對用ΔVbe法測量雙極型晶體管的結溫進行瞭研究.噹結溫分佈均勻時，測得的結溫與測試電流無關；噹結溫分佈不均勻時，小測試電流測得的結溫高，大測試電流測得的結溫低，測得結溫隨測試電流的變化範圍隨結溫分佈不均勻度的增加而增大.這一現象可用來判彆雙極晶體管結溫分佈的不均勻性.
고필도결온분포불균균적정황，대용ΔVbe법측량쌍겁형정체관적결온진행료연구.당결온분포균균시，측득적결온여측시전류무관；당결온분포불균균시，소측시전류측득적결온고，대측시전류측득적결온저，측득결온수측시전류적변화범위수결온분포불균균도적증가이증대.저일현상가용래판별쌍겁정체관결온분포적불균균성.
