微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2005年
2期
118-120,124
,共4页
谭静%李竞春%杨谟华%徐婉静%张静
譚靜%李競春%楊謨華%徐婉靜%張靜
담정%리경춘%양모화%서완정%장정
等离子体增强化学气相淀积%低温热氧化%栅介质%应变硅沟道%MOS器件
等離子體增彊化學氣相澱積%低溫熱氧化%柵介質%應變硅溝道%MOS器件
등리자체증강화학기상정적%저온열양화%책개질%응변규구도%MOS기건
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L＝20 μm/2 μm)跨导可达45 mS/mm(300 K), 阈值电压为1.2 V;在700 °C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L＝52 μm/4.5 μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300 K),阈值电压为0.4 V.
分彆對300 °C下採用等離子體增彊化學氣相澱積(PECVD)和700 °C下採用熱氧化技術製備應變硅溝道MOS器件柵介質薄膜進行瞭研究.採用PECVD製備SiO2柵介質技術研製的應變硅溝道PMOSFET(W/L＝20 μm/2 μm)跨導可達45 mS/mm(300 K), 閾值電壓為1.2 V;在700 °C下採用榦濕氧結閤,製得電學性能良好的柵介質薄膜,併應用于應變硅溝道PMOSFET(W/L＝52 μm/4.5 μm)器件研製,其跨導達到20mS/mm(300 K),閾值電壓為0.4 V.
분별대300 °C하채용등리자체증강화학기상정적(PECVD)화700 °C하채용열양화기술제비응변규구도MOS기건책개질박막진행료연구.채용PECVD제비SiO2책개질기술연제적응변규구도PMOSFET(W/L＝20 μm/2 μm)과도가체45 mS/mm(300 K), 역치전압위1.2 V;재700 °C하채용간습양결합,제득전학성능량호적책개질박막,병응용우응변규구도PMOSFET(W/L＝52 μm/4.5 μm)기건연제,기과도체도20mS/mm(300 K),역치전압위0.4 V.
