光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年
4期
385-388
,共4页
电子束%散射%近轴轨迹%失真%分布
電子束%散射%近軸軌跡%失真%分佈
전자속%산사%근축궤적%실진%분포
分析了LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与电子束能量分布.以SDS-3电子束设备的电子枪为基础,加速电压为30 kV,通过双曲凹面加速器维纳尔(外敷碱土金属氧化物盖)使电子送达Si片靶心(置于光栏前),讨论了维纳尔的电子轨迹与电子枪发射电子的Fermi分布,给出了测量LaB6电子枪分辨率的方法.与考虑了系统像差影响的理论计算结果进行比较,两者的最后结果基本一致.
分析瞭LaB6電子鎗的Kramers-Heisenberg散射與電子束能量分佈.以SDS-3電子束設備的電子鎗為基礎,加速電壓為30 kV,通過雙麯凹麵加速器維納爾(外敷堿土金屬氧化物蓋)使電子送達Si片靶心(置于光欄前),討論瞭維納爾的電子軌跡與電子鎗髮射電子的Fermi分佈,給齣瞭測量LaB6電子鎗分辨率的方法.與攷慮瞭繫統像差影響的理論計算結果進行比較,兩者的最後結果基本一緻.
분석료LaB6전자창적Kramers-Heisenberg산사여전자속능량분포.이SDS-3전자속설비적전자창위기출,가속전압위30 kV,통과쌍곡요면가속기유납이(외부감토금속양화물개)사전자송체Si편파심(치우광란전),토론료유납이적전자궤적여전자창발사전자적Fermi분포,급출료측량LaB6전자창분변솔적방법.여고필료계통상차영향적이론계산결과진행비교,량자적최후결과기본일치.
