半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
5期
759-762
,共4页
陈延湖%申华军%王显泰%葛荠%李滨%刘新宇%吴德馨
陳延湖%申華軍%王顯泰%葛薺%李濱%劉新宇%吳德馨
진연호%신화군%왕현태%갈제%리빈%류신우%오덕형
HBT%MMIC%X波段
HBT%MMIC%X波段
HBT%MMIC%X파단
研制了X波段的InGaP/GaAs HBT 单级MMIC功率放大器,该电路采用自行开发的GaAs HBT自对准工艺技术制作.电路偏置于AB类,小信号S参数测试在8～8.5GHz范围内,线性增益为8～9dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于3,优化集电极偏置后,线性增益为9～10dB.在8.5GHz进行连续波功率测试,在优化的负载阻抗条件下,P1dB输出功率为29.4dBm,相应增益7.2dB,相应PAE＞40%,电路的饱和输出功率Psat为30dBm.
研製瞭X波段的InGaP/GaAs HBT 單級MMIC功率放大器,該電路採用自行開髮的GaAs HBT自對準工藝技術製作.電路偏置于AB類,小信號S參數測試在8～8.5GHz範圍內,線性增益為8～9dB,輸入駐波比小于2,輸齣駐波比小于3,優化集電極偏置後,線性增益為9～10dB.在8.5GHz進行連續波功率測試,在優化的負載阻抗條件下,P1dB輸齣功率為29.4dBm,相應增益7.2dB,相應PAE＞40%,電路的飽和輸齣功率Psat為30dBm.
연제료X파단적InGaP/GaAs HBT 단급MMIC공솔방대기,해전로채용자행개발적GaAs HBT자대준공예기술제작.전로편치우AB류,소신호S삼수측시재8～8.5GHz범위내,선성증익위8～9dB,수입주파비소우2,수출주파비소우3,우화집전겁편치후,선성증익위9～10dB.재8.5GHz진행련속파공솔측시,재우화적부재조항조건하,P1dB수출공솔위29.4dBm,상응증익7.2dB,상응PAE＞40%,전로적포화수출공솔Psat위30dBm.
