电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
6期
34-37
,共4页
宁革%刘敏%周洪庆%朱海奎
寧革%劉敏%週洪慶%硃海奎
저혁%류민%주홍경%주해규
LTCC%钙硼硅玻璃%微晶玻璃%致密化
LTCC%鈣硼硅玻璃%微晶玻璃%緻密化
LTCC%개붕규파리%미정파리%치밀화
在低软化点钙硼硅玻璃(LG)[r(Ca:Si)＞1]中添加高软化点钙硼硅玻璃(HG)[r(Ca:Si)＜1],经低温烧结制备了钙硼硅(CaO-B2O3-SiO2,CBS)LTCC材料(又称CBS微晶玻璃).利用XRD和SEM,研究了HG的添加量及烧成温度对钙硼硅LTCC材料的物相和微观结构的影响.结果表明,HG玻璃的引入有效提高了LG的烧结性能及拓宽了烧结范围,且有效降低了该材料的相对介电常数.w(HG)为20%时,CBS微晶玻璃能够在850～910℃烧结致密:在1 MHz测试频率下,相对介电常数小于7.25,介质损耗小于2×10-3.
在低軟化點鈣硼硅玻璃(LG)[r(Ca:Si)＞1]中添加高軟化點鈣硼硅玻璃(HG)[r(Ca:Si)＜1],經低溫燒結製備瞭鈣硼硅(CaO-B2O3-SiO2,CBS)LTCC材料(又稱CBS微晶玻璃).利用XRD和SEM,研究瞭HG的添加量及燒成溫度對鈣硼硅LTCC材料的物相和微觀結構的影響.結果錶明,HG玻璃的引入有效提高瞭LG的燒結性能及拓寬瞭燒結範圍,且有效降低瞭該材料的相對介電常數.w(HG)為20%時,CBS微晶玻璃能夠在850～910℃燒結緻密:在1 MHz測試頻率下,相對介電常數小于7.25,介質損耗小于2×10-3.
재저연화점개붕규파리(LG)[r(Ca:Si)＞1]중첨가고연화점개붕규파리(HG)[r(Ca:Si)＜1],경저온소결제비료개붕규(CaO-B2O3-SiO2,CBS)LTCC재료(우칭CBS미정파리).이용XRD화SEM,연구료HG적첨가량급소성온도대개붕규LTCC재료적물상화미관결구적영향.결과표명,HG파리적인입유효제고료LG적소결성능급탁관료소결범위,차유효강저료해재료적상대개전상수.w(HG)위20%시,CBS미정파리능구재850～910℃소결치밀:재1 MHz측시빈솔하,상대개전상수소우7.25,개질손모소우2×10-3.
