半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
1期
49-54
,共6页
吕荫学%刘梦新%罗家俊%叶甜春
呂蔭學%劉夢新%囉傢俊%葉甜春
려음학%류몽신%라가준%협첨춘
整数型锁相环%压控振荡器%鉴频鉴相器%总剂量辐照效应%单粒子事件
整數型鎖相環%壓控振盪器%鑒頻鑒相器%總劑量輻照效應%單粒子事件
정수형쇄상배%압공진탕기%감빈감상기%총제량복조효응%단입자사건
设计了一款与CSMC,0.5 μm CMOS工艺兼容的频率为500 MHz的辐照加固整数型锁相环电路,研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电路主要模块及整个系统性能的影响.此外,通过修正BSIM 3V3模型的参数以及施加脉冲电流源来模拟总剂量辐照效应和单粒子事件,对锁相环整体电路进行了电路模拟仿真以及版图寄生参数提取后仿真.模拟结果表明,辐照总剂量为1Mrad(Si)时锁相环电路仍能正常工作,产生270.58～451.64 MHz的时钟输出,峰峰值抖动小于100 ps,锁定时间小于4 μs;同时在对单粒子事件敏感的数字电路的主要节点处施加脉冲电流源后,锁相环电路均能在短时间内产生稳定的输出.
設計瞭一款與CSMC,0.5 μm CMOS工藝兼容的頻率為500 MHz的輻照加固整數型鎖相環電路,研究瞭總劑量輻照以及單粒子事件對鎖相環電路主要模塊及整箇繫統性能的影響.此外,通過脩正BSIM 3V3模型的參數以及施加脈遲電流源來模擬總劑量輻照效應和單粒子事件,對鎖相環整體電路進行瞭電路模擬倣真以及版圖寄生參數提取後倣真.模擬結果錶明,輻照總劑量為1Mrad(Si)時鎖相環電路仍能正常工作,產生270.58～451.64 MHz的時鐘輸齣,峰峰值抖動小于100 ps,鎖定時間小于4 μs;同時在對單粒子事件敏感的數字電路的主要節點處施加脈遲電流源後,鎖相環電路均能在短時間內產生穩定的輸齣.
설계료일관여CSMC,0.5 μm CMOS공예겸용적빈솔위500 MHz적복조가고정수형쇄상배전로,연구료총제량복조이급단입자사건대쇄상배전로주요모괴급정개계통성능적영향.차외,통과수정BSIM 3V3모형적삼수이급시가맥충전류원래모의총제량복조효응화단입자사건,대쇄상배정체전로진행료전로모의방진이급판도기생삼수제취후방진.모의결과표명,복조총제량위1Mrad(Si)시쇄상배전로잉능정상공작,산생270.58～451.64 MHz적시종수출,봉봉치두동소우100 ps,쇄정시간소우4 μs;동시재대단입자사건민감적수자전로적주요절점처시가맥충전류원후,쇄상배전로균능재단시간내산생은정적수출.
