物理学报
物理學報
물이학보
2007年
9期
5471-5475
,共5页
孙玉%孙治湖%朱三元%史同飞%叶剑%潘志云%刘文汉%韦世强
孫玉%孫治湖%硃三元%史同飛%葉劍%潘誌雲%劉文漢%韋世彊
손옥%손치호%주삼원%사동비%협검%반지운%류문한%위세강
磁控溅射%XRD%XAFS%MnxGe1-x稀磁半导体薄膜
磁控濺射%XRD%XAFS%MnxGe1-x稀磁半導體薄膜
자공천사%XRD%XAFS%MnxGe1-x희자반도체박막
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.
利用X射線衍射(XRD)和X射線吸收精細結構(XAFS)方法研究瞭磁控共濺射方法製備的MnxGe1-x薄膜樣品的結構隨摻雜磁性原子Mn含量的變化規律.XRD結果錶明,在Mn的含量較低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93樣品中,隻能觀察到對應于多晶Ge的XRD衍射峰,而對Mn含量較高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64樣品則明顯齣現Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例隨著Mn的含量升高而增加.XAFS結果錶明,對于Mn0.07Ge0.93樣品,Mn主要以替代位的形式存在,佔75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的樣品中,除瞭一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化閤物的形式存在.
이용X사선연사(XRD)화X사선흡수정세결구(XAFS)방법연구료자공공천사방법제비적MnxGe1-x박막양품적결구수참잡자성원자Mn함량적변화규률.XRD결과표명,재Mn적함량교저(7.0%)적Mn0.07Ge0.93양품중,지능관찰도대응우다정Ge적XRD연사봉,이대Mn함량교고(25.0%,36.0%)적Mn0.25Ge0.75화Mn0.36Ge0.64양품칙명현출현Ge3Mn5상적연사봉,차Ge3Mn5적비례수착Mn적함량승고이증가.XAFS결과표명,대우Mn0.07Ge0.93양품,Mn주요이체대위적형식존재,점75%좌우적비례;재Mn0.25Ge0.75화Mn0.36Ge0.64적양품중,제료일소부분적Mn원자이체대위적형식존재지외,대부분Mn원자이Ge3Mn5화합물적형식존재.
