AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能
AlGaN/AlN/GaN초특기이겁관적전학성능
Electrical Characteristic of AlGaN/AlN/GaN Schottky Diode
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 388-390 ,共3页

    王新华%王晓亮%肖红领%王翠梅%冉军学%罗卫军%王保柱%冯春%杨翠柏%马志勇%胡国新%曾一平%李晋闽

    왕신화%왕효량%초홍령%왕취매%염군학%라위군%왕보주%풍춘%양취백%마지용%호국신%증일평%리진민

    AlGaN/AlN/GaN异质结%肖特基二极管%势垒高度 AlGaN/AlN/GaN異質結%肖特基二極管%勢壘高度
    AlGaN/AlN/GaN이질결%초특기이겁관%세루고도
    利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.
    이용금속유궤화학기상정적(MOCVD)방법생장적AlGaN/AlN/GaN/람보석재료제비료AlGaN초특기이겁관.기건적초특기접촉화구모접촉분별위Ti/Pt화Ti/Al/Ti/Au,균채용전자속증발적방법침적.AlGaN표면구모접촉적비접촉전조솔위7.48×10-4Ω/cm2,기건적I-V측시표명해AlGaN초특기이겁관구유교호적정류특성.근거기건적정향,I-V특성계산득도기건적세루고도화이상인자분별위0.57eV화4.83.장기건재300℃중온퇴화,기건적전학성능유소개선.
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