微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
4期
569-573,577
,共6页
张琼娜%Leo de Vreede%闵昊
張瓊娜%Leo de Vreede%閔昊
장경나%Leo de Vreede%민호
直接混频(零中频)%接收机%混频器%输入二阶截取点
直接混頻(零中頻)%接收機%混頻器%輸入二階截取點
직접혼빈(령중빈)%접수궤%혼빈기%수입이계절취점
讨论了混频器IIP2对于零中频接收机的重要性,对导致CMOS双平衡Gilbert混频器IIP2下降的因素进行了系统而深入的分析.在考虑电路的不匹配性和寄身参数的情况下,介绍了多种提高混频器IIP2的方法.同时,提出了一种鲁棒性非常好,并且适合低电源电压应用的高IIP2混频器结构:"交流耦合"混频器.该电路采用CMOS 90 nm工艺实现.仿真结果显示,该混频器可达到92 dBm的IIP2和9 dB的电压转换增益,在1.2 V电源电压下,功耗为9.6 mW.
討論瞭混頻器IIP2對于零中頻接收機的重要性,對導緻CMOS雙平衡Gilbert混頻器IIP2下降的因素進行瞭繫統而深入的分析.在攷慮電路的不匹配性和寄身參數的情況下,介紹瞭多種提高混頻器IIP2的方法.同時,提齣瞭一種魯棒性非常好,併且適閤低電源電壓應用的高IIP2混頻器結構:"交流耦閤"混頻器.該電路採用CMOS 90 nm工藝實現.倣真結果顯示,該混頻器可達到92 dBm的IIP2和9 dB的電壓轉換增益,在1.2 V電源電壓下,功耗為9.6 mW.
토론료혼빈기IIP2대우령중빈접수궤적중요성,대도치CMOS쌍평형Gilbert혼빈기IIP2하강적인소진행료계통이심입적분석.재고필전로적불필배성화기신삼수적정황하,개소료다충제고혼빈기IIP2적방법.동시,제출료일충로봉성비상호,병차괄합저전원전압응용적고IIP2혼빈기결구:"교류우합"혼빈기.해전로채용CMOS 90 nm공예실현.방진결과현시,해혼빈기가체도92 dBm적IIP2화9 dB적전압전환증익,재1.2 V전원전압하,공모위9.6 mW.
