中国电子科学研究院学报
中國電子科學研究院學報
중국전자과학연구원학보
JOURNAL OF CHINA ACADEMY OF ELECTRONICS AND INFORMATION TECHNOLOGY
2009年
2期
111-118
,共8页
张波%邓小川%张有润%李肇基
張波%鄧小川%張有潤%李肇基
장파%산소천%장유윤%리조기
宽禁带半导体%碳化硅%功率器件
寬禁帶半導體%碳化硅%功率器件
관금대반도체%탄화규%공솔기건
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.
碳化硅(SiC)是第三代半導體材料的典型代錶,也是目前晶體生長技術和器件製造水平最成熟、應用最廣汎的寬禁帶半導體材料之一,是高溫、高頻、抗輻照、大功率應用場閤下極為理想的半導體材料.文章結閤美國國防先進研究計劃跼DARPA的高功率電子器件應用寬禁帶技術HPE項目的髮展,介紹瞭SiC功率器件的最新進展及其麵臨的挑戰和髮展前景.同時對我國寬禁帶半導體SiC器件的研究現狀及未來的髮展方嚮做瞭概述與展望.
탄화규(SiC)시제삼대반도체재료적전형대표,야시목전정체생장기술화기건제조수평최성숙、응용최엄범적관금대반도체재료지일,시고온、고빈、항복조、대공솔응용장합하겁위이상적반도체재료.문장결합미국국방선진연구계화국DARPA적고공솔전자기건응용관금대기술HPE항목적발전,개소료SiC공솔기건적최신진전급기면림적도전화발전전경.동시대아국관금대반도체SiC기건적연구현상급미래적발전방향주료개술여전망.
