化学工业与工程
化學工業與工程
화학공업여공정
CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING
2009年
4期
283-287
,共5页
杨言言%郝晓刚%张忠林%马旭莉%刘世斌
楊言言%郝曉剛%張忠林%馬旭莉%劉世斌
양언언%학효강%장충림%마욱리%류세빈
电控离子分离%三维膜电极%循环伏安法%离子扩散
電控離子分離%三維膜電極%循環伏安法%離子擴散
전공리자분리%삼유막전겁%순배복안법%리자확산
通过阴极电沉积法在石墨芯基体上制备铁氰化镍(NiHCF)薄膜,然后组装为多排石墨芯(MRGC)膜电极系统于1 mol/L KNO,溶液中测定其循环伏安(CV)曲线.重点考察了不同电极厚度与间距的MRGC基体NiHCF膜电极CV图的阴阳极峰电位分离情况,以及不同扫描速度下膜电极系统的CV图变化情况.研究结果表明,由于三维MRGC膜电极系统内部离子扩散影响,CV图的峰电位将发生偏移.随着石墨芯间距的增加电极内离子扩散阻力降低,导致CV图阴阳极峰电位差△Ep将减小;固定石墨芯间距而增加电极厚度时电极内离子扩散阻力增加使△Ep也随之增加;随着扫描速度的增加内扩散的影响加剧导致△Ep增加.因此循环伏安图阴阳极峰电位的分离程度可用于三维膜电极内离子扩散的分析.
通過陰極電沉積法在石墨芯基體上製備鐵氰化鎳(NiHCF)薄膜,然後組裝為多排石墨芯(MRGC)膜電極繫統于1 mol/L KNO,溶液中測定其循環伏安(CV)麯線.重點攷察瞭不同電極厚度與間距的MRGC基體NiHCF膜電極CV圖的陰暘極峰電位分離情況,以及不同掃描速度下膜電極繫統的CV圖變化情況.研究結果錶明,由于三維MRGC膜電極繫統內部離子擴散影響,CV圖的峰電位將髮生偏移.隨著石墨芯間距的增加電極內離子擴散阻力降低,導緻CV圖陰暘極峰電位差△Ep將減小;固定石墨芯間距而增加電極厚度時電極內離子擴散阻力增加使△Ep也隨之增加;隨著掃描速度的增加內擴散的影響加劇導緻△Ep增加.因此循環伏安圖陰暘極峰電位的分離程度可用于三維膜電極內離子擴散的分析.
통과음겁전침적법재석묵심기체상제비철청화얼(NiHCF)박막,연후조장위다배석묵심(MRGC)막전겁계통우1 mol/L KNO,용액중측정기순배복안(CV)곡선.중점고찰료불동전겁후도여간거적MRGC기체NiHCF막전겁CV도적음양겁봉전위분리정황,이급불동소묘속도하막전겁계통적CV도변화정황.연구결과표명,유우삼유MRGC막전겁계통내부리자확산영향,CV도적봉전위장발생편이.수착석묵심간거적증가전겁내리자확산조력강저,도치CV도음양겁봉전위차△Ep장감소;고정석묵심간거이증가전겁후도시전겁내리자확산조력증가사△Ep야수지증가;수착소묘속도적증가내확산적영향가극도치△Ep증가.인차순배복안도음양겁봉전위적분리정도가용우삼유막전겁내리자확산적분석.
