电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2010年
3期
440-442
,共3页
蒋洪川%王超杰%张万里%向阳%司旭%彭斌%李言荣
蔣洪川%王超傑%張萬裏%嚮暘%司旭%彭斌%李言榮
장홍천%왕초걸%장만리%향양%사욱%팽빈%리언영
Al掺杂%磁控溅射%TaN薄膜%TCR
Al摻雜%磁控濺射%TaN薄膜%TCR
Al참잡%자공천사%TaN박막%TCR
采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜,通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量,研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响.XRD结果表明,TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101)和AlN(202)相出现.随Al/Ta面积比的增大,TaAlN薄膜的沉积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大.当Al/Ta面积比为零时,TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8 μΩ·cm和12 ppm/℃,当Al/Ta面积比增大到29%时,TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560 μΩ·cm和270 ppm/℃.
採用反應直流磁控濺射法在Al2O3陶瓷基片上製備TaAlN薄膜,通過調節複閤靶Al/Ta麵積比調節Al摻雜量,研究瞭Al/Ta麵積比對TaAlN薄膜微結構及電性能的影響.XRD結果錶明,TaN薄膜中摻雜Al可在2θ為38.5°和65.18°處分彆有立方結構的AlN(101)和AlN(202)相齣現.隨Al/Ta麵積比的增大,TaAlN薄膜的沉積速率、電阻率、方阻以及TCR絕對值逐漸增大.噹Al/Ta麵積比為零時,TaN薄膜的電阻率和TCR絕對值分彆為247.8 μΩ·cm和12 ppm/℃,噹Al/Ta麵積比增大到29%時,TaAlN薄膜的電阻率和TCR絕對值分彆增大到2560 μΩ·cm和270 ppm/℃.
채용반응직류자공천사법재Al2O3도자기편상제비TaAlN박막,통과조절복합파Al/Ta면적비조절Al참잡량,연구료Al/Ta면적비대TaAlN박막미결구급전성능적영향.XRD결과표명,TaN박막중참잡Al가재2θ위38.5°화65.18°처분별유립방결구적AlN(101)화AlN(202)상출현.수Al/Ta면적비적증대,TaAlN박막적침적속솔、전조솔、방조이급TCR절대치축점증대.당Al/Ta면적비위령시,TaN박막적전조솔화TCR절대치분별위247.8 μΩ·cm화12 ppm/℃,당Al/Ta면적비증대도29%시,TaAlN박막적전조솔화TCR절대치분별증대도2560 μΩ·cm화270 ppm/℃.
