材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
12期
17-19,22
,共4页
Ge掺杂ZnO薄膜%光致发光%蓝光发射%黄光发射
Ge摻雜ZnO薄膜%光緻髮光%藍光髮射%黃光髮射
Ge참잡ZnO박막%광치발광%람광발사%황광발사
采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射.通过分析Ge掺入量和退火温度对发光谱的影响,并与相同条件下所沉积的纯ZnO薄膜的发光特性进行比较,结果表明,蓝光发射可能与Ge杂质形成的施主能级有关,弱黄峰可能源于Ge替代Zn空位形成的杂质能级到价带的跃迁复合.
採用射頻磁控共濺射法在硅基片上沉積瞭Ge摻雜ZnO薄膜,所製備的樣品具有彊藍光髮射和弱黃光髮射.通過分析Ge摻入量和退火溫度對髮光譜的影響,併與相同條件下所沉積的純ZnO薄膜的髮光特性進行比較,結果錶明,藍光髮射可能與Ge雜質形成的施主能級有關,弱黃峰可能源于Ge替代Zn空位形成的雜質能級到價帶的躍遷複閤.
채용사빈자공공천사법재규기편상침적료Ge참잡ZnO박막,소제비적양품구유강람광발사화약황광발사.통과분석Ge참입량화퇴화온도대발광보적영향,병여상동조건하소침적적순ZnO박막적발광특성진행비교,결과표명,람광발사가능여Ge잡질형성적시주능급유관,약황봉가능원우Ge체대Zn공위형성적잡질능급도개대적약천복합.
