人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
1期
48-52
,共5页
李昭宁%王六定%王小冬%席彩萍%沈中元%赵景辉%吴宏景
李昭寧%王六定%王小鼕%席綵萍%瀋中元%趙景輝%吳宏景
리소저%왕륙정%왕소동%석채평%침중원%조경휘%오굉경
化学掺杂%石墨纳米带%第一性原理
化學摻雜%石墨納米帶%第一性原理
화학참잡%석묵납미대%제일성원리
本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.
本文利用第一性原理研究瞭化學摻雜(N和B)對Armchair石墨納米帶(AGNR)電子性質的影響.結果髮現:N和B原子有不同的最佳摻雜位置,摻雜使AGNR分彆成為n型或P型半導體.納米帶寬度不同時,摻雜對AGNR電子結構如能級、能隙、軌道分佈等有不同影響.
본문이용제일성원리연구료화학참잡(N화B)대Armchair석묵납미대(AGNR)전자성질적영향.결과발현:N화B원자유불동적최가참잡위치,참잡사AGNR분별성위n형혹P형반도체.납미대관도불동시,참잡대AGNR전자결구여능급、능극、궤도분포등유불동영향.
