兵工学报
兵工學報
병공학보
ACTA ARMAMENTARII
2012年
5期
617-622
,共6页
吕玉山%张辽远%王军%王武刚
呂玉山%張遼遠%王軍%王武剛
려옥산%장료원%왕군%왕무강
机械制造工艺与设备%抛光%单晶硅片%接触压强%葵花籽粒分布%Winkler地基
機械製造工藝與設備%拋光%單晶硅片%接觸壓彊%葵花籽粒分佈%Winkler地基
궤계제조공예여설비%포광%단정규편%접촉압강%규화자립분포%Winkler지기
为了改善单晶硅片化学机械抛光(CMP)接触压强分布的均匀性和实现高平坦化抛光,基于弹性力学的“Winkler地基”理论提出了一个新的CMP接触模型.依据此模型,从葵花籽粒分布的结构特征出发对抛光垫进行了分割,计算分析了分割参数对接触压强分布的影响规律,并实验验证了分割参数对硅片抛光平面度轮廓的影响规律.研究结果表明:当分割参数为顺时针0.008～0.009 mm,逆时针为0.005～0.006 mm时,抛光接触压强分布较为均匀,并使得被抛光晶片的平面度得到改善.
為瞭改善單晶硅片化學機械拋光(CMP)接觸壓彊分佈的均勻性和實現高平坦化拋光,基于彈性力學的“Winkler地基”理論提齣瞭一箇新的CMP接觸模型.依據此模型,從葵花籽粒分佈的結構特徵齣髮對拋光墊進行瞭分割,計算分析瞭分割參數對接觸壓彊分佈的影響規律,併實驗驗證瞭分割參數對硅片拋光平麵度輪廓的影響規律.研究結果錶明:噹分割參數為順時針0.008～0.009 mm,逆時針為0.005～0.006 mm時,拋光接觸壓彊分佈較為均勻,併使得被拋光晶片的平麵度得到改善.
위료개선단정규편화학궤계포광(CMP)접촉압강분포적균균성화실현고평탄화포광,기우탄성역학적“Winkler지기”이론제출료일개신적CMP접촉모형.의거차모형,종규화자립분포적결구특정출발대포광점진행료분할,계산분석료분할삼수대접촉압강분포적영향규률,병실험험증료분할삼수대규편포광평면도륜곽적영향규률.연구결과표명:당분할삼수위순시침0.008～0.009 mm,역시침위0.005～0.006 mm시,포광접촉압강분포교위균균,병사득피포광정편적평면도득도개선.
