半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
11期
1468-1473
,共6页
王桂珍%张正选%姜景和%罗尹红%彭宏论%何宝平
王桂珍%張正選%薑景和%囉尹紅%彭宏論%何寶平
왕계진%장정선%강경화%라윤홍%팽굉론%하보평
总剂量效应%质子%Faraday筒%阈值电压%漏电流
總劑量效應%質子%Faraday筒%閾值電壓%漏電流
총제량효응%질자%Faraday통%역치전압%루전류
介绍了几种加固和非加固MOS电路的质子辐照总剂量效应实验,质子束的能量为9、7、5、2MeV.实验结果表明,在相同的吸收剂量下,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比.还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响,结果认为,对于NMOSFET,不论是加固器件,还是非加固器件,在+5V的栅压偏置下,器件的辐射损伤比0V栅压下的损伤严重,对于加固器件,辐射感生界面态的密度也较高;而加固型PMOSFET,在0V的栅压下,辐射损伤比-5V下严重,且界面态的密度高.
介紹瞭幾種加固和非加固MOS電路的質子輻照總劑量效應實驗,質子束的能量為9、7、5、2MeV.實驗結果錶明,在相同的吸收劑量下,MOS器件纍積電離輻射損傷與質子能量成正比.還給齣瞭柵極偏壓對器件質子輻射損傷的影響,結果認為,對于NMOSFET,不論是加固器件,還是非加固器件,在+5V的柵壓偏置下,器件的輻射損傷比0V柵壓下的損傷嚴重,對于加固器件,輻射感生界麵態的密度也較高;而加固型PMOSFET,在0V的柵壓下,輻射損傷比-5V下嚴重,且界麵態的密度高.
개소료궤충가고화비가고MOS전로적질자복조총제량효응실험,질자속적능량위9、7、5、2MeV.실험결과표명,재상동적흡수제량하,MOS기건루적전리복사손상여질자능량성정비.환급출료책겁편압대기건질자복사손상적영향,결과인위,대우NMOSFET,불론시가고기건,환시비가고기건,재+5V적책압편치하,기건적복사손상비0V책압하적손상엄중,대우가고기건,복사감생계면태적밀도야교고;이가고형PMOSFET,재0V적책압하,복사손상비-5V하엄중,차계면태적밀도고.
