半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
1期
68-72
,共5页
冯泉林%史训达%刘斌%刘佐星%王敬%周旗钢
馮泉林%史訓達%劉斌%劉佐星%王敬%週旂鋼
풍천림%사훈체%류빈%류좌성%왕경%주기강
洁净区%氧沉淀%单晶硅片%内吸杂%RTA
潔淨區%氧沉澱%單晶硅片%內吸雜%RTA
길정구%양침정%단정규편%내흡잡%RTA
300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NHs混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.
300mm硅片中厚度閤適的潔淨區和高密度氧沉澱,有利于對器件有源區金屬霑汙的吸除,改善柵氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混閤氣作為快速退火(RTA)氣氛,研究RTA氣氛對潔淨區、氧沉澱形成的影響.研究髮現N2/NHs混閤氣氛處理的硅片錶層潔淨區明顯薄于Ar氣氛處理的硅片,氧沉澱密度明顯高于Ar氣氛處理後的硅片.同時髮現在兩種氣氛下,延長恆溫時間都可以降低潔淨區厚度,增加氧沉澱密度.基于空位增彊氧沉澱成覈和氮化空位註入的基本原理,就RTA氣氛和恆溫時間對潔淨區和氧沉澱分佈的影響進行瞭討論.
300mm규편중후도합괄적길정구화고밀도양침정,유리우대기건유원구금속첨오적흡제,개선책양화물적완정성.문중사용Ar,N2/NHa혼합기작위쾌속퇴화(RTA)기분,연구RTA기분대길정구、양침정형성적영향.연구발현N2/NHs혼합기분처리적규편표층길정구명현박우Ar기분처리적규편,양침정밀도명현고우Ar기분처리후적규편.동시발현재량충기분하,연장항온시간도가이강저길정구후도,증가양침정밀도.기우공위증강양침정성핵화담화공위주입적기본원리,취RTA기분화항온시간대길정구화양침정분포적영향진행료토론.
