半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
2期
336-339
,共4页
赵有文%董志远%魏学成%段满龙%李晋闽
趙有文%董誌遠%魏學成%段滿龍%李晉閩
조유문%동지원%위학성%단만룡%리진민
氧化锌%化学气相传输%单晶生长
氧化鋅%化學氣相傳輸%單晶生長
양화자%화학기상전수%단정생장
利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传输效应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为籽晶,得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶体.用光致发光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质并对生长的热力学过程和现象进行了分析.
利用化學氣相傳輸法生長瞭ZnO單晶.通過控製源區和生長耑的溫度梯度,使用碳輔助增彊質量傳輸效應,在無籽晶自髮成覈的條件下,得到瞭晶粒呎吋達5mm×8mm的ZnO晶體.利用長有GaN層的藍寶石晶片作為籽晶,得到瞭直徑32mm、厚4mm左右的ZnO單晶體.用光緻髮光譜和X射線雙晶衍射研究瞭ZnO晶體的性質併對生長的熱力學過程和現象進行瞭分析.
이용화학기상전수법생장료ZnO단정.통과공제원구화생장단적온도제도,사용탄보조증강질량전수효응,재무자정자발성핵적조건하,득도료정립척촌체5mm×8mm적ZnO정체.이용장유GaN층적람보석정편작위자정,득도료직경32mm、후4mm좌우적ZnO단정체.용광치발광보화X사선쌍정연사연구료ZnO정체적성질병대생장적열역학과정화현상진행료분석.
