人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
5期
1343-1347,1352
,共6页
朱亮%周旗钢%戴小林%张果虎%曹建伟%邱敏秀
硃亮%週旂鋼%戴小林%張果虎%曹建偉%邱敏秀
주량%주기강%대소림%장과호%조건위%구민수
直拉法%硅单晶%液面位置
直拉法%硅單晶%液麵位置
직랍법%규단정%액면위치
集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置.传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展.本文提出并实现了一种采用CCD图像捕捉和测量液面位置的方法,结合调节坩埚上升速度来控制液面高度,最终可以满足生长集成电路用12英寸硅单晶的需要.
集成電路用12英吋硅單晶生長過程中,為滿足晶體生長界麵附近溫度梯度的要求,需要測量併控製晶體生長過程中硅鎔體液麵位置.傳統的設定坩堝上升速度和激光測距的方法有時不能適應直拉硅單晶生長技術的髮展.本文提齣併實現瞭一種採用CCD圖像捕捉和測量液麵位置的方法,結閤調節坩堝上升速度來控製液麵高度,最終可以滿足生長集成電路用12英吋硅單晶的需要.
집성전로용12영촌규단정생장과정중,위만족정체생장계면부근온도제도적요구,수요측량병공제정체생장과정중규용체액면위치.전통적설정감과상승속도화격광측거적방법유시불능괄응직랍규단정생장기술적발전.본문제출병실현료일충채용CCD도상포착화측량액면위치적방법,결합조절감과상승속도래공제액면고도,최종가이만족생장집성전로용12영촌규단정적수요.
