光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2009年
4期
813-817
,共5页
李阳%刘星元%吴春亚%孟志国%王忆%熊绍珍
李暘%劉星元%吳春亞%孟誌國%王憶%熊紹珍
리양%류성원%오춘아%맹지국%왕억%웅소진
P型掺杂纳米硅薄膜%聚合物有机电致发光器件%微腔
P型摻雜納米硅薄膜%聚閤物有機電緻髮光器件%微腔
P형참잡납미규박막%취합물유궤전치발광기건%미강
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86 S/cm、Eopt>2.0 eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15 nm、17 nm和21 nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126 nm窄化到33 nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47 130 cd/m2,最大发光效率为9.543 83 cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%.
採用甚高頻增彊型等離子體化學氣相沉積技術,通過優化薄膜的沉積條件製備齣高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86 S/cm、Eopt>2.0 eV).通過XRD測量計算齣薄膜<111>、<220>和<311>三箇晶嚮上的晶粒大小分彆為15 nm、17 nm和21 nm;通過Raman測量,計算齣其晶化率為35%左右.實驗中,將P型納米硅薄膜與氧化銦錫一起構成有機電緻髮光器件的複閤暘極,研究瞭他們的髮光特性,結果錶明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光學特性,它與高反射率的陰極Al使有機電緻髮光器件產生瞭微腔效應,使其髮光光譜窄化,半寬高由126 nm窄化到33 nm;髮光光亮明顯增彊,最大亮度為47 130 cd/m2,最大髮光效率為9.543 83 cd/A,與以ITO為陰極的無腔器件相比,提高瞭約127%.
채용심고빈증강형등리자체화학기상침적기술,통과우화박막적침적조건제비출고성능적P-nc-Si∶H박막재료(σ=5.86 S/cm、Eopt>2.0 eV).통과XRD측량계산출박막<111>、<220>화<311>삼개정향상적정립대소분별위15 nm、17 nm화21 nm;통과Raman측량,계산출기정화솔위35%좌우.실험중,장P형납미규박막여양화인석일기구성유궤전치발광기건적복합양겁,연구료타문적발광특성,결과표명:유우P-nc-Si∶H박막재료구유근사반반반투적광학특성,타여고반사솔적음겁Al사유궤전치발광기건산생료미강효응,사기발광광보착화,반관고유126 nm착화도33 nm;발광광량명현증강,최대량도위47 130 cd/m2,최대발광효솔위9.543 83 cd/A,여이ITO위음겁적무강기건상비,제고료약127%.
