真空
真空
진공
VACUUM
2012年
1期
65-69
,共5页
沈向前%谢泉%肖清泉%丰云
瀋嚮前%謝泉%肖清泉%豐雲
침향전%사천%초청천%봉운
磁控溅射%靶材刻蚀%计算机模拟%状态分布
磁控濺射%靶材刻蝕%計算機模擬%狀態分佈
자공천사%파재각식%계산궤모의%상태분포
靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素.本文用有限元 分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particle in cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopping and range of ions in matter)模拟了靶材的溅射特性,得到了靶材的刻蚀形貌和刻蚀速度,并讨论了不同工作气压和不同阴极电压对靶材刻蚀的影响.模拟结果表明:靶材刻蚀形貌与磁场分布有关,磁通密度越强,对应的靶材位置刻蚀越深；靶材的刻蚀速度随阴极电压的增大而增大,而当工作气压增大时,靶材的刻蚀速度先增大后趋向平衡,当工作气压超过一定的值时,刻蚀速度随气压的增大开始减小.模拟结果与实验观测进行了比较,二者符合较好.
靶材刻蝕特性是研究磁控濺射靶材利用率、薄膜生長速度和薄膜質量的關鍵因素.本文用有限元 分析軟件ANSYS模擬瞭磁控濺射放電空間的磁場分佈,用粒子模擬軟件OOPIC Pro(object oriented particle in cell)模擬瞭放電過程,最後用SRIM(stopping and range of ions in matter)模擬瞭靶材的濺射特性,得到瞭靶材的刻蝕形貌和刻蝕速度,併討論瞭不同工作氣壓和不同陰極電壓對靶材刻蝕的影響.模擬結果錶明:靶材刻蝕形貌與磁場分佈有關,磁通密度越彊,對應的靶材位置刻蝕越深；靶材的刻蝕速度隨陰極電壓的增大而增大,而噹工作氣壓增大時,靶材的刻蝕速度先增大後趨嚮平衡,噹工作氣壓超過一定的值時,刻蝕速度隨氣壓的增大開始減小.模擬結果與實驗觀測進行瞭比較,二者符閤較好.
파재각식특성시연구자공천사파재이용솔、박막생장속도화박막질량적관건인소.본문용유한원 분석연건ANSYS모의료자공천사방전공간적자장분포,용입자모의연건OOPIC Pro(object oriented particle in cell)모의료방전과정,최후용SRIM(stopping and range of ions in matter)모의료파재적천사특성,득도료파재적각식형모화각식속도,병토론료불동공작기압화불동음겁전압대파재각식적영향.모의결과표명:파재각식형모여자장분포유관,자통밀도월강,대응적파재위치각식월심；파재적각식속도수음겁전압적증대이증대,이당공작기압증대시,파재적각식속도선증대후추향평형,당공작기압초과일정적치시,각식속도수기압적증대개시감소.모의결과여실험관측진행료비교,이자부합교호.
