红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2011年
7期
1205-1208
,共4页
李凡%史衍丽%赵鲁生%徐文
李凡%史衍麗%趙魯生%徐文
리범%사연려%조로생%서문
金属半导体场效应管%太赫兹探测%Ⅰ-Ⅴ特性%器件模拟%Synopsys器件模拟软件
金屬半導體場效應管%太赫玆探測%Ⅰ-Ⅴ特性%器件模擬%Synopsys器件模擬軟件
금속반도체장효응관%태혁자탐측%Ⅰ-Ⅴ특성%기건모의%Synopsys기건모의연건
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108 Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流；另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件.目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性.计算结果和实验测量结果比较吻合.
Ⅲ-Ⅴ族化閤物半導體材料GaAs,由于其本徵載流子濃度比Si約低104,電子遷移率約是Si的5倍,電阻率高達108 Ωcm,有利于降低寄生電容,減少漏電流；另外,GaAs材料便于加工,可方便地實現大規模集成,適用于製作MESFET器件.目前用于太赫玆探測的GaAs MESFET在國際上有瞭較大的髮展,為瞭進一步研究MESFET的器件特性,參照國外現有的作為太赫玆探測的GaAsMESFET器件結構,通過建立器件結構模型,併進行摻雜、網格化後使用Synopsys器件模擬軟件求解泊鬆方程,計算併分析瞭其電流電壓特性.計算結果和實驗測量結果比較吻閤.
Ⅲ-Ⅴ족화합물반도체재료GaAs,유우기본정재류자농도비Si약저104,전자천이솔약시Si적5배,전조솔고체108 Ωcm,유리우강저기생전용,감소루전류；령외,GaAs재료편우가공,가방편지실현대규모집성,괄용우제작MESFET기건.목전용우태혁자탐측적GaAs MESFET재국제상유료교대적발전,위료진일보연구MESFET적기건특성,삼조국외현유적작위태혁자탐측적GaAsMESFET기건결구,통과건립기건결구모형,병진행참잡、망격화후사용Synopsys기건모의연건구해박송방정,계산병분석료기전류전압특성.계산결과화실험측량결과비교문합.
