微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
6期
844-847,856
,共5页
滑育楠%梁聪%张晓东%高怀
滑育楠%樑聰%張曉東%高懷
활육남%량총%장효동%고부
功率放大器%Volterra级数%负载阻抗%InGaP/GaAs%HBT
功率放大器%Volterra級數%負載阻抗%InGaP/GaAs%HBT
공솔방대기%Volterra급수%부재조항%InGaP/GaAs%HBT
利用Volterra级数法,研究了InGaP/GaAs HBT功率放大器的非线性失真,分析了非线性指标IP3和功率放大器负载阻抗的关系,完成了功率放大器负载阻抗的优化设计;采用2 μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺进行流片.测试结果表明,设计的功率放大器在不影响输出功率和功率附加效率的前提下,线性度得到较大改善,IP3提高6 dB,与理论分析及计算机仿真结果相吻合.
利用Volterra級數法,研究瞭InGaP/GaAs HBT功率放大器的非線性失真,分析瞭非線性指標IP3和功率放大器負載阻抗的關繫,完成瞭功率放大器負載阻抗的優化設計;採用2 μm InGaP/GaAs HBT半導體工藝進行流片.測試結果錶明,設計的功率放大器在不影響輸齣功率和功率附加效率的前提下,線性度得到較大改善,IP3提高6 dB,與理論分析及計算機倣真結果相吻閤.
이용Volterra급수법,연구료InGaP/GaAs HBT공솔방대기적비선성실진,분석료비선성지표IP3화공솔방대기부재조항적관계,완성료공솔방대기부재조항적우화설계;채용2 μm InGaP/GaAs HBT반도체공예진행류편.측시결과표명,설계적공솔방대기재불영향수출공솔화공솔부가효솔적전제하,선성도득도교대개선,IP3제고6 dB,여이론분석급계산궤방진결과상문합.
