电子技术
電子技術
전자기술
ELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
6期
78-80
,共3页
倒掺杂%表面电势%漏极电流%饱和驱动电流%MOSFET
倒摻雜%錶麵電勢%漏極電流%飽和驅動電流%MOSFET
도참잡%표면전세%루겁전류%포화구동전류%MOSFET
本文研究了一种倒掺杂沟道MOSFET.与传统的MOSFETs不同,这种器件采用沟道表面掺杂浓度低、体内掺杂浓度高的倒掺杂设计.基于Possion方程,建立了线性变掺杂的沟道倒掺杂模型,得出了器件表面电势以及漏极电流的表达式,研究了垂直于沟道方向上倒掺杂的陡峭程度对漏极电流、饱和驱动电流以及表面电势的影响.计算结果与二维仿真软件MEDICI模拟结果相符.
本文研究瞭一種倒摻雜溝道MOSFET.與傳統的MOSFETs不同,這種器件採用溝道錶麵摻雜濃度低、體內摻雜濃度高的倒摻雜設計.基于Possion方程,建立瞭線性變摻雜的溝道倒摻雜模型,得齣瞭器件錶麵電勢以及漏極電流的錶達式,研究瞭垂直于溝道方嚮上倒摻雜的陡峭程度對漏極電流、飽和驅動電流以及錶麵電勢的影響.計算結果與二維倣真軟件MEDICI模擬結果相符.
본문연구료일충도참잡구도MOSFET.여전통적MOSFETs불동,저충기건채용구도표면참잡농도저、체내참잡농도고적도참잡설계.기우Possion방정,건립료선성변참잡적구도도참잡모형,득출료기건표면전세이급루겁전류적표체식,연구료수직우구도방향상도참잡적두초정도대루겁전류、포화구동전류이급표면전세적영향.계산결과여이유방진연건MEDICI모의결과상부.
