电子科技
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전자과기
IT AGE
2009年
5期
75-77
,共3页
李劫%章安辉%何秀坤%曹全喜%秦涛
李劫%章安輝%何秀坤%曹全喜%秦濤
리겁%장안휘%하수곤%조전희%진도
KOH腐蚀%微管%SiC%计数
KOH腐蝕%微管%SiC%計數
KOH부식%미관%SiC%계수
用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征.通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等.从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法.
用拉曼光譜、X射線雙晶衍射儀以及體式顯微鏡,對升華法生長的6H-SiC單晶品質、SiC單晶中的微管缺陷進行錶徵.通過對SiC單晶腐蝕前後的微管數目比較髮現,微管呎吋和其所形成的腐蝕坑大小併不是呈線性關繫,腐蝕前後用體式顯微鏡觀察到的微管數目大緻相等.從實驗數據髮現,微管的呎吋有最小值,這給SiC微管密度分佈,提供瞭一種無損檢測方法.
용랍만광보、X사선쌍정연사의이급체식현미경,대승화법생장적6H-SiC단정품질、SiC단정중적미관결함진행표정.통과대SiC단정부식전후적미관수목비교발현,미관척촌화기소형성적부식갱대소병불시정선성관계,부식전후용체식현미경관찰도적미관수목대치상등.종실험수거발현,미관적척촌유최소치,저급SiC미관밀도분포,제공료일충무손검측방법.
