半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
11期
826-830
,共5页
高岩%王欣平%何金江%董亭义%蒋宇辉%江轩
高巖%王訢平%何金江%董亭義%蔣宇輝%江軒
고암%왕흔평%하금강%동정의%장우휘%강헌
集成电路IC%互连线%焊接强度%铜靶材%溅射
集成電路IC%互連線%銲接彊度%銅靶材%濺射
집성전로IC%호련선%한접강도%동파재%천사
随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高.从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、纯度、致密度、微观组织及焊接性能等方面作了分析,并且较全面地分析了可能影响靶材溅射性能的很多关键因素,从而为靶材供应商和集成电路制造商对于铜靶材的了解搭建了桥梁,为进一步开发超大尺寸的高纯铜靶材打下基础.
隨著半導體技術的髮展,芯片特徵呎吋縮小到深亞微米和納米時,銅互連技術在集成電路的設計和製造中成為主流技術,從而對高純銅靶材的要求越來越高.從靶材製造的角度利用材料學的知識對銅靶材的晶體結構、純度、緻密度、微觀組織及銲接性能等方麵作瞭分析,併且較全麵地分析瞭可能影響靶材濺射性能的很多關鍵因素,從而為靶材供應商和集成電路製造商對于銅靶材的瞭解搭建瞭橋樑,為進一步開髮超大呎吋的高純銅靶材打下基礎.
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