基于图形衬底生长的GaN位错机制分析
기우도형츤저생장적GaN위착궤제분석
Dislocation generation mechanism analysis of GaN grown on patterned sapphire substrate
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2008年 4期 478-481 ,共4页

    江洋%罗毅%薛小琳%汪莱%李洪涛%席光义%赵维%韩彦军

    강양%라의%설소림%왕래%리홍도%석광의%조유%한언군

    GaN%金属有机气相外延%图形衬底%位错%缺陷选择性腐蚀 GaN%金屬有機氣相外延%圖形襯底%位錯%缺陷選擇性腐蝕
    GaN%금속유궤기상외연%도형츤저%위착%결함선택성부식
    采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群;三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤.
    채용결함선택성부식법결합광학현미경급원자력현미경(AFM)대금속유궤화합물기상외연(MOVPE)재람보석도형츤저(PSS)상생장적비참잡GaN체재료적위착산생궤제진행료연구,분석결과표명,위착래원우삼개방면:일시"이보법"생장궤제인입적위착;이시시유우도형츤저상불동구역GaN정체상호련접시유우정면불련속소조성적위착군;삼시유우도형츤저제작공예과정중인입적표면오염여손상.
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