摩擦学学报
摩抆學學報
마찰학학보
TRIBOLOGY
2008年
1期
11-17
,共7页
顾欣%张晨辉%雒建斌%路新春
顧訢%張晨輝%雒建斌%路新春
고흔%장신휘%락건빈%로신춘
光纤端面%光纤激光器%化学机械抛光(CMP)
光纖耑麵%光纖激光器%化學機械拋光(CMP)
광섬단면%광섬격광기%화학궤계포광(CMP)
将化学机械抛光(CMP)技术引入光纤端面的加工过程并设计其抛光工艺,探讨了抛光垫和抛光液的类型、浓度及抛光压力、抛光盘的转速及抛光液的流速等参数对抛光性能的影响,设定了两步抛光的优选工艺.结果表明:在颗粒浓度为1%～2%,抛光液流速为100～150 mL/min,压力小于20.64 kPa,抛光盘转速90 r/min的条件下,可以得到较高的材料去除率和良好的抛光表面质量,其表面粗糙度Ra值可达0.326 nm.
將化學機械拋光(CMP)技術引入光纖耑麵的加工過程併設計其拋光工藝,探討瞭拋光墊和拋光液的類型、濃度及拋光壓力、拋光盤的轉速及拋光液的流速等參數對拋光性能的影響,設定瞭兩步拋光的優選工藝.結果錶明:在顆粒濃度為1%～2%,拋光液流速為100～150 mL/min,壓力小于20.64 kPa,拋光盤轉速90 r/min的條件下,可以得到較高的材料去除率和良好的拋光錶麵質量,其錶麵粗糙度Ra值可達0.326 nm.
장화학궤계포광(CMP)기술인입광섬단면적가공과정병설계기포광공예,탐토료포광점화포광액적류형、농도급포광압력、포광반적전속급포광액적류속등삼수대포광성능적영향,설정료량보포광적우선공예.결과표명:재과립농도위1%～2%,포광액류속위100～150 mL/min,압력소우20.64 kPa,포광반전속90 r/min적조건하,가이득도교고적재료거제솔화량호적포광표면질량,기표면조조도Ra치가체0.326 nm.
