半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
426-429
,共4页
林玲%徐安怀%孙晓玮%齐鸣
林玲%徐安懷%孫曉瑋%齊鳴
림령%서안부%손효위%제명
异质结双极晶体管%InGaP/GaAs%直流特性
異質結雙極晶體管%InGaP/GaAs%直流特性
이질결쌍겁정체관%InGaP/GaAs%직류특성
InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.
InGaP/GaAs異質結雙極晶體管(HBT)是噹前微波毫米波領域中具有廣闊髮展前景的高速固態器件,其直流特性是器件重要參數之一.本文採用Medici軟件對兩種InGaP/GaAs外延結構HBT的直流特性和高頻特性進行瞭模擬計算,併實際製備齣瞭兩種材料結構的大呎吋(髮射極麵積100μm×100μm)雙檯麵InGaP/GaAs HBT器件,對其直流特性進行瞭測試和分析,兩種外延結構的器件共射直流增益分彆為50和350,模擬得其最大截止頻率分彆為8和10GHz.
InGaP/GaAs이질결쌍겁정체관(HBT)시당전미파호미파영역중구유엄활발전전경적고속고태기건,기직류특성시기건중요삼수지일.본문채용Medici연건대량충InGaP/GaAs외연결구HBT적직류특성화고빈특성진행료모의계산,병실제제비출료량충재료결구적대척촌(발사겁면적100μm×100μm)쌍태면InGaP/GaAs HBT기건,대기직류특성진행료측시화분석,량충외연결구적기건공사직류증익분별위50화350,모의득기최대절지빈솔분별위8화10GHz.
