半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
9期
1406-1410
,共5页
舒斌%张鹤鸣%王青%黄大鹏%宣荣喜
舒斌%張鶴鳴%王青%黃大鵬%宣榮喜
서빈%장학명%왕청%황대붕%선영희
溶胶-凝胶%铋锌铌薄膜%金属-绝缘层-半导体结构%电容-电压曲线
溶膠-凝膠%鉍鋅鈮薄膜%金屬-絕緣層-半導體結構%電容-電壓麯線
용효-응효%필자니박막%금속-절연층-반도체결구%전용-전압곡선
采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaN MIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.
採用溶膠-凝膠法製備齣高介電常數的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.總結齣適閤作為GaN金屬-絕緣層-半導體場效應晶體管(MIS FET)柵介質的BZN薄膜的原料配比、燒結溫度和保溫時間等工藝參數,解決瞭原料溶解、粘稠度、浸潤度等工藝問題.同時,結閤半導體工藝製造齣以BZN薄膜為絕緣介質的GaN MIS結構,通過測量到的高頻C-V特性麯線,得到薄膜的相對介電常數為91,MIS結構的彊反型電壓為-3.4V,平帶電壓為-1.9V.
채용용효-응효법제비출고개전상수적Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)박막.총결출괄합작위GaN금속-절연층-반도체장효응정체관(MIS FET)책개질적BZN박막적원료배비、소결온도화보온시간등공예삼수,해결료원료용해、점주도、침윤도등공예문제.동시,결합반도체공예제조출이BZN박막위절연개질적GaN MIS결구,통과측량도적고빈C-V특성곡선,득도박막적상대개전상수위91,MIS결구적강반형전압위-3.4V,평대전압위-1.9V.
