化学学报
化學學報
화학학보
ACTA CHIMICA SINICA
2007年
14期
1305-1312
,共8页
秦改萍%蔡亚萍%邢伯蕾%李奕%章永凡%李俊篯
秦改萍%蔡亞萍%邢伯蕾%李奕%章永凡%李俊篯
진개평%채아평%형백뢰%리혁%장영범%리준전
密度泛函理论%Si(100)表面%乙烯%乙炔%能带结构
密度汎函理論%Si(100)錶麵%乙烯%乙炔%能帶結構
밀도범함이론%Si(100)표면%을희%을결%능대결구
采用基于第一性原理的密度泛函理论和平板模型对Si(100)表面吸附乙炔和乙烯分子的构型稳定性以及电子结构进行系统研究.结果表明:无论是吸附乙炔还是乙烯分子,当覆盖度为0.5 ML时,最为稳定的吸附方式为dimerized模型;当覆盖度增大到1.0 ML时,end-bridge模型为最稳定的吸附方式.通过对各吸附模型的能带结构分析可知,体系的带隙变化可以通过考察表层Si-Si二聚体中Si原子的配位环境来确定.对于相同的吸附模型,无论吸附分子是乙炔还是乙烯,都具有非常相近的带隙.吸附构型以及吸附分子的覆盖度对最小带隙及其来源有较大影响.此外,研究结果还表明,杂化密度泛函方法更适合于描述Si(100)表面的电子结构,尤其是对end-bridge吸附模型.
採用基于第一性原理的密度汎函理論和平闆模型對Si(100)錶麵吸附乙炔和乙烯分子的構型穩定性以及電子結構進行繫統研究.結果錶明:無論是吸附乙炔還是乙烯分子,噹覆蓋度為0.5 ML時,最為穩定的吸附方式為dimerized模型;噹覆蓋度增大到1.0 ML時,end-bridge模型為最穩定的吸附方式.通過對各吸附模型的能帶結構分析可知,體繫的帶隙變化可以通過攷察錶層Si-Si二聚體中Si原子的配位環境來確定.對于相同的吸附模型,無論吸附分子是乙炔還是乙烯,都具有非常相近的帶隙.吸附構型以及吸附分子的覆蓋度對最小帶隙及其來源有較大影響.此外,研究結果還錶明,雜化密度汎函方法更適閤于描述Si(100)錶麵的電子結構,尤其是對end-bridge吸附模型.
채용기우제일성원리적밀도범함이론화평판모형대Si(100)표면흡부을결화을희분자적구형은정성이급전자결구진행계통연구.결과표명:무론시흡부을결환시을희분자,당복개도위0.5 ML시,최위은정적흡부방식위dimerized모형;당복개도증대도1.0 ML시,end-bridge모형위최은정적흡부방식.통과대각흡부모형적능대결구분석가지,체계적대극변화가이통과고찰표층Si-Si이취체중Si원자적배위배경래학정.대우상동적흡부모형,무론흡부분자시을결환시을희,도구유비상상근적대극.흡부구형이급흡부분자적복개도대최소대극급기래원유교대영향.차외,연구결과환표명,잡화밀도범함방법경괄합우묘술Si(100)표면적전자결구,우기시대end-bridge흡부모형.
