材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2007年
6期
16-20
,共5页
丁少锋%范广涵%李述体%郑树文%陈琨
丁少鋒%範廣涵%李述體%鄭樹文%陳琨
정소봉%범엄함%리술체%정수문%진곤
InN%特性%应用%进展
InN%特性%應用%進展
InN%특성%응용%진전
InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点.就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述.
InN材料是性能優良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體材料,在光電子領域有著非常重要的應用價值,由此成為最近國際國內研究的熱點.就InN材料的製備方法、p型摻雜、電學特性、光學特性、器件的研究應用以及國內研究的最新進展進行瞭綜述.
InN재료시성능우량적Ⅲ-Ⅴ족담화물반도체재료,재광전자영역유착비상중요적응용개치,유차성위최근국제국내연구적열점.취InN재료적제비방법、p형참잡、전학특성、광학특성、기건적연구응용이급국내연구적최신진전진행료종술.
