光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2007年
3期
494-498
,共5页
曹萌%吴惠桢%劳燕锋%刘成%谢正生
曹萌%吳惠楨%勞燕鋒%劉成%謝正生
조맹%오혜정%로연봉%류성%사정생
光学材料%应变多量子阱%干法刻蚀%损伤%光致发光
光學材料%應變多量子阱%榦法刻蝕%損傷%光緻髮光
광학재료%응변다양자정%간법각식%손상%광치발광
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AlGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm.通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱光致发光强度较未刻蚀量子阱光致发光强度提高了近3倍.干法刻蚀后,量子阱表面呈现高低起伏状形貌,粗糙度提高,出射光在起伏状粗糙形貌表面反复散射,从而逃逸概率增大,有助于光致发光强度增强.理论计算结果得出表面形貌变化引起的量子阱光致发光强度增强因子约为1.3倍.另外,由于所采用的感应耦合等离子体功率较小,刻蚀损伤深度几乎不会达到量子阱阱层,然而干法刻蚀过程中Ar离子隧穿到量子阱阱层内部可能形成新的发光中心,从而使量子阱的发光强度得到提高.
為瞭分析榦法刻蝕對應變多量子阱(SMQWs)髮光特性的影響,採用感應耦閤等離子體(ICP)刻蝕技術對金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)生長的InGaN/AlGaN應變多量子阱覆蓋層錶麵刻蝕瞭約95 nm.通過光緻髮光(PL)特性錶徵髮現,榦法刻蝕後量子阱光緻髮光彊度較未刻蝕量子阱光緻髮光彊度提高瞭近3倍.榦法刻蝕後,量子阱錶麵呈現高低起伏狀形貌,粗糙度提高,齣射光在起伏狀粗糙形貌錶麵反複散射,從而逃逸概率增大,有助于光緻髮光彊度增彊.理論計算結果得齣錶麵形貌變化引起的量子阱光緻髮光彊度增彊因子約為1.3倍.另外,由于所採用的感應耦閤等離子體功率較小,刻蝕損傷深度幾乎不會達到量子阱阱層,然而榦法刻蝕過程中Ar離子隧穿到量子阱阱層內部可能形成新的髮光中心,從而使量子阱的髮光彊度得到提高.
위료분석간법각식대응변다양자정(SMQWs)발광특성적영향,채용감응우합등리자체(ICP)각식기술대금속유궤물화학기상침적(MOCVD)생장적InGaN/AlGaN응변다양자정복개층표면각식료약95 nm.통과광치발광(PL)특성표정발현,간법각식후양자정광치발광강도교미각식양자정광치발광강도제고료근3배.간법각식후,양자정표면정현고저기복상형모,조조도제고,출사광재기복상조조형모표면반복산사,종이도일개솔증대,유조우광치발광강도증강.이론계산결과득출표면형모변화인기적양자정광치발광강도증강인자약위1.3배.령외,유우소채용적감응우합등리자체공솔교소,각식손상심도궤호불회체도양자정정층,연이간법각식과정중Ar리자수천도양자정정층내부가능형성신적발광중심,종이사양자정적발광강도득도제고.
