微波学报
微波學報
미파학보
JOURNAL OF MICROWAVES
2007年
1期
52-55
,共4页
李拂晓%郑惟彬%康耀辉%黄庆安%林罡
李拂曉%鄭惟彬%康耀輝%黃慶安%林罡
리불효%정유빈%강요휘%황경안%림강
砷化镓%膺配高电子迁移率晶体管%二维电子气
砷化鎵%膺配高電子遷移率晶體管%二維電子氣
신화가%응배고전자천이솔정체관%이유전자기
主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化.在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完成流片实验.流片得到的0.25μm GaAs PHEMT器件的性能参数为:跨导gm=440mS/mm、截止频率fT=50GHz、最大振荡频率fmax＞80GHz,显示出良好的DC和AC小信号特性.
主要論述瞭採用POSES軟件對亞微米GaAs PHEMT器件進行的結構設計與優化.在結構設計過程中,本文首先簡要分析瞭PHEMT器件的工作原理;然後利用POSES軟件數值求解瞭材料結構和器件性能之間的關繫,併根據上述分析結果優化器件結構設計,完成流片實驗.流片得到的0.25μm GaAs PHEMT器件的性能參數為:跨導gm=440mS/mm、截止頻率fT=50GHz、最大振盪頻率fmax＞80GHz,顯示齣良好的DC和AC小信號特性.
주요논술료채용POSES연건대아미미GaAs PHEMT기건진행적결구설계여우화.재결구설계과정중,본문수선간요분석료PHEMT기건적공작원리;연후이용POSES연건수치구해료재료결구화기건성능지간적관계,병근거상술분석결과우화기건결구설계,완성류편실험.류편득도적0.25μm GaAs PHEMT기건적성능삼수위:과도gm=440mS/mm、절지빈솔fT=50GHz、최대진탕빈솔fmax＞80GHz,현시출량호적DC화AC소신호특성.
